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国产半导体核心材料重大突破 晶瑞股份i线光刻胶通过中芯国际上线测试

2018-08-08    发布:

2018年8月6日,晶瑞股份在全景网投资者关系互动平台介绍,公司的i线光刻胶已通过中芯国际上线测试,高纯双氧水已在中芯国际产线测试。
  据了解,晶瑞股份的i线光刻胶由子公司苏州瑞红生产,系承接国家重大科技项目02专项"i线光刻胶产品开发及产业化"而来,为首次在国内实现i线光刻胶的量产。
  在半导体制造领域,光刻和刻蚀技术是半导体芯片在精细线路图形加工中最重要的工艺,决定着芯片的最小特征尺寸,占芯片制造时间的40-60%,占芯片制造成本的35%左右。而光刻胶是光刻工艺得以实现选择性刻蚀的关键材料,占芯片制造成本约7%左右,是评定半导体芯片生产工艺技术水平的重要指标。中国国内光刻胶产品和国外先进产品相比,基本上落后了三、四代左右。
  《国家集成电路产业发展推进纲要》,提出"研发光刻机、刻蚀机、离子注入机等关键设备,开发光刻胶、大尺英寸硅片等关键材料";国家重点支持的高新技术领域(2015)中提到"高分辨率光刻胶及配套化学品作为精细化学品重要组成部分,是重点发展的新材料技术";光刻技术(包括光刻胶)是《中国制造2025》重点领域。
  目前市面上的半导体光刻胶一般分为磺化橡胶光刻胶、g/i线光刻胶(436/365nm)、KrF/ArF光刻胶(248/193nm)。i线光刻胶是指在365nm波长下工作的光刻胶,主要用于6英寸和部分8英寸晶圆半导体的生产。 


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